三星量产512G* UFS 3.1手机闪存:写入速度达1.2G*/s,3倍于UFS 3.0-玩手机-it科技

三星量产512G* UFS 3.1手机闪存:写入速度达1.2G*/s,3倍于UFS 3.0

2020-03-18 13:23:23 作者:微尘  阅读:186 次  点赞:0 次  鄙视:0 次  收藏:0 次  由 www.0085322.com 收集整理
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 三星今日宣布开始量产512GB eUFS 3.1芯片,其连续写入速度超过1.2GB/s,是其前代产品写入速度的3倍。

三星方面表示,与前代产品、固态硬盘及MicroSD卡相比,eUFS 3.1芯片将为智能手机提供更快的数据传输体验。IT之家了解到,新eUFS 3.1芯片的连续写入速度是SATA硬盘(540MB / s)的两倍以上,是 UHS-I microSD 卡(90MB / s)的十倍以上,其处理速度比市面上常见的 UFS 3.0 快 60%,拥有2,100MB/s的顺序读取速度以及100,000 IOPS(每秒输入/输出操作)和70,000 IOPS的随机读取速度和写入速度。

此外三星的eUFS 3.1系列还将提供256GB和128GB容量,目前三星位于平泽工厂的P1生产线已开始生产第六代V-NAND。同时,位于中国西安的新X2生产线已开始生产第五代V-NAND。

本文关键词:三星 , 量产 , 闪存

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